Японские компании Elpida Memory и Sharp намерены совместно разработать память нового поколения. Сроком коммерциализации разработки назван 2013 год.
Под памятью нового поколения партнеры подразумевают энергонезависимую резистивную память с произвольным доступом, получившую обозначение ReRAM. Она потребляет меньше энергии и по быстродействию превосходит флэш-память типа NAND в 10000 раз, сохраняя записанные данные после отключения питания.
В проекте участвует японская правительственная организация NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization) и университет Токио.
Производители уже давно работают над созданием памяти, которая могла бы заменить динамическую память с произвольным доступом (DRAM) и энергонезависимую память (в этом качестве сейчас преимущественно выступает флэш-память типа NAND). Память типа ReRAM отлично подходит на такую роль, превосходя оба указанные типа памяти, утверждает Elpida.
Источник информации: iXBT